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元件参数资料
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参数目录42295
> PHK18NQ03LT,518 MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
型号:
PHK18NQ03LT,518
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PHK18NQ03LT,518 PDF
标准包装
2,500
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
20.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
8.9 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.15V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
10.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1380pF @ 12V
功率 - 最大
6.25W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SO
包装
带卷 (TR)
其它名称
934058815518
PHK18NQ03LT /T3
PHK18NQ03LT /T3-ND
查看PHK18NQ03LT,518代理商
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